台工研院发表最新MRAM技术，优于台积电、三星

搜索最新SoC解决方案
关于汽车电子...物联网...安全...音频...视频

www.laoyaoba.com, Dec. 10, 2019 – 

芯科技消息（文/罗伊）台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议（IEDM）中发表铁电存储器（FRAM）、磁阻随机存取存储器（MRAM）等6篇技术论文。其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。

台工研院电光系统所所长吴志毅表示，5G、AI时代来临，摩尔定律一再向下微缩，半导体走向异质整合，而能突破既有运算限制的下一代存储器将扮演更重要角色，工研院新兴的FRAM、MRAM读写速度比大家所熟知的闪存快上百倍、甚至千倍，而都是非挥发性存储器，均具备低待机功耗、高处理效率优势，未来应用发展潜力可期。

点击阅读更多

 Back