三星为追台积电改Roadmap：跳过4nm，直接上3nm

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因与其竞争对手台积电在工艺路线上的计划不同，三星电子将跳过4nm工艺，直接由5nm跃升至3nm环绕栅极晶体管(GAAFET)……（首图自pxhere）

www.eet-china.com, Jul. 03, 2020 – 

在半导体代工领域，两大巨头台积电和三星电子目前都已进入5nm工艺：台积电5nm已大规模量产，4nm的N4工艺有望在2023年完成；而三星投资81亿美元的新5nm产线于今年开始建设，最快明年投产。

3nm方面台积电在多年前就已开始谋划，2020年为其产线获得了200亿美元的投资，并计划2021年风险试产，2022年上半年大规模量产。在6月初，甚至有外媒称台积电已经开始安装3nm工艺的生产线，早于此前的预期。

看起来，无论三星如何追赶，进度都比台积电差了那么1年左右，但7月2日，三星决定在工艺上大跃进。

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