Rambus的HBM2E性能实现4.0 Gbps，为AI/ML提速

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news.eeworld.com.cn, Sept. 10, 2020 – 

Rambus Inc.是一家专注于使数据更快更安全并领先业界的silicon IP和芯片提供商。今天，宣布它的 HBM2E内存接口解决方案实现了创纪录的4 Gbps性能。该解决方案由完全集成的PHY和控制器组成，搭配业界最快的，来自SK hynix的3.6Gbps运行速度的HBM2E DRAM，该解决方案可以从单个HBM2E设备提供460 GB/s的带宽。此性能可以满足TB级的带宽需求，针对最苛刻的AI/ML训练和高性能的加速器计算（HPC）应用而生。

"基于Rambus取得的此成就，AI和HPC系统的设计师们进行系统设计时就可以使用来自SK hynix 以3.6Gbps的速度运行世界上最快的HBM2E DRAM," SK hynix 发言人，产品计划副总裁Uksong Kang说道。"今年7月，我们宣布全面量产HBM2E，可用于要求最高带宽的最新计算应用程序。"

完全集成并已可投产的Rambus HBM2E内存子系统以4Gbps的速度运行，无需要求PHY电压过载。Rambus与SK hynix和Alchip的合作，采用台积公司领先的N7工艺和CoWoS®先进封装技术，实现了HBM2E 2.5D系统在硅中验证Rambus HBM2E PHY和内存控制器IP。Alchip与Rambus的工程团队共同设计，负责中介层和封装基板的设计。

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