台积电2024年将量产突破性的2nm工艺晶体管

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www.eepw.com.cn, Sept. 25, 2020 –

9 月 25 日消息据 wccftech 报道，台湾半导体制造公司（TSMC）在 2nm 半导体制造节点的研发方面取得了重要突破：台积电有望在 2023 年中期进入 2nm 工艺的试生产阶段，并于一年后开始批量生产。

目前，台积电的最新制造工艺是其第一代 5 纳米工艺，该工艺将用于为 iPhone 12 等设备构建处理器。

台积电的 2nm 工艺将采用差分晶体管设计。该设计被称为多桥沟道场效应（MBCFET）晶体管，它是对先前 FinFET 设计的补充。