CEA-Leti&Dolphin设计报告FD-SOI突破，使工作频率提高450%，功耗降低30%

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www.eefocus.com, Feb. 23, 2021 – 

CEA-Leti和Dolphin Design已开发出适用于FD-SOI芯片的自适应反偏压（ABB）架构，该架构可通过工业级认证无缝集成到数字设计流程中，从而克服了现有ABB技术的集成缺点。

绝缘体上完全耗尽的硅（FD-SOI）是一项技术，该技术允许对用作背栅的晶体管主体进行偏置。与传统的批量技术不同，FD-SOI可以实现宽范围的人体偏置电压。这样可以通过控制阈值电压来补偿过程，电压和温度（PVT）的变化。例如，在开关操作中，当开关处于接通状态时，通过减小阈值电压并允许更多的电流通过来改变体偏置以减小导通电阻。这加速了电路。在截止状态下，通过增加阈值电压来改变体偏置以提高截止电阻，从而减小了泄漏电流。这表明FD-SOI技术可用于加速设计或降低泄漏功率。

新型ABB技术在ISSCC 2021上的论文中提出，还允许应用设计在各种工作条件（例如温度，制造可变性和电源电压）下维持目标工作频率。与不使用主体偏置技术的技术相比，该架构可将22nm FD-SOI技术的处理器能耗降低多达30％，并将工作频率提高至450％。它还提高了生产良率。

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