Samsung will become the world's first 3D SiP foundry next year, 3nm trial production in 2020.

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来源:雷锋网, Sept. 09, 2018 – 

雷锋网消息，三星最近在日本举办了三星铸造论坛2018（Samsung Foundry Forum 2018，SFF），发布了几个重要的信息。 除了重申计划在未来几个季度开始使用极紫外光刻（EUVL）开始大批量生产（HVM），同时重申计划使用具有3纳米节点的栅极FET（GAAFET），三星还将新的8LPU工艺技术增加到其路线图。另外，2019年开始提供3D SiP以及2020年开始风险生产3nm节点也都是亮点。

10纳米节点

三星代工厂的总体路线图于今年早些时候公布 ，因此在日本的SFF，三星重申其部分计划，也进行了一些修正，并提供了有关其未来计划的一些额外细节。

首先，三星基于10纳米工艺增加了被称为8LPU（low power ultimate）的新工艺，根据三星的分类，这是一个为需要高时钟频率和高晶体管密度SoC准备的工艺。8LPU是8LPP技术平台的进一步升级，可能会增加晶体管密度和提升频率。三星的8LPP技术去年投入生产 ，基于三星10纳米节点的开发，与10LPP相比，更窄的最小金属间距可减小10％的面积（同样的复杂性），并且功耗降低10％（同样的频率和复杂性）。 不过，三星没有透露它如何在8LPP的基础上提升8LPU，比如设计规则、新的库以及最小金属间距。

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