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从7纳米过渡到5纳米,EUV微影技术的最佳时间点到了?

EUV既复杂又昂贵,但EUV微影将在半导体工艺微缩至最小节点上不可或缺,关键是采用这种技术的时间点。

www.ednchina.com, Sept. 29, 2019 – 

EUV既复杂又昂贵,但EUV微影将在半导体工艺微缩至最小节点上不可或缺,关键是采用这种技术的时间点。

开发极紫外光(EUV)微影的过程漫长且艰难,运用了广泛的技术项目,投入整个半导体供应链的庞大人力与组织;在数十年的专注努力之后,今日该技术已经能被应用在生产环境。

但是就算某种技术可用,并不代表市场一定要采用;在EUV目前的发展阶段,值得退一步思考──依据不断增加的实际生产经验──高端芯片工艺接下来应该是什么样子,无论会不会有EUV的新图形化(patterning)功能。

藉由对典型7纳米工艺的了解所提供之比较点,我们的感觉是,EUV现在可减少约20%的光罩阶层,因此缩减量产周期时间。虽然透过多重图形策略,7纳米生产当然可能不需要用到EUV,但是这种方法现在来到了为整体生产流程添加周转时间(turnaround-time)的程度,这可会因此影响半导体业者的敏捷性与产品上市时程,这些对于服务客户的能力十分关键。

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