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MIT开发出基于碳纳米管FET的RISC-V微处理器

由于硅技术不再遵循历史规律发展,业界已经对硅以外的纳米技术进行了大量研究。MIT的研究人员采用碳纳米管晶体管(Carbon Nanotube Transistors)成功研制出16位RISC-V微处理器,其设计流程和工艺均遵照行业标准,但能效比硅基微处理器高10倍。

www.eet-china.com, Nov. 25, 2019 – 

美国麻省理工学院的研究人员采用碳纳米管晶体管(Carbon Nanotube Transistors)成功研制出16位RISC-V微处理器,其设计流程和工艺均遵照行业标准,但能效比硅基微处理器高10倍。

由于硅技术不再遵循历史规律发展,业界已经对硅以外的纳米技术进行了大量研究。尽管基于碳纳米管场效应晶体管(CNFET)的数字电路提供了一种显著提高能效的方法,但因为无法完全控制碳纳米管中固有的纳米级缺陷和可变性,阻碍了其在超大规模集成系统中的应用。

美国麻省理工学院的研究人员最近在《自然》杂志上发表了70多页的论文,概述了他们如何克服这些限制,研制出全由CNFET构建的超硅微处理器。他们的研究得到了美国国防高级研究计划局(DARPA)、ADI公司、美国国家科学基金会和空军研究实验室的支持。

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