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三星成功开发业界首款3纳米GAA工艺技术，效能增30%
三星电子（Samsung Electronics）已成功开发出业界首款 3 纳米 GAA 工艺技术，副会长李在镕（Lee Jae-yong）1 月 2 日访问了华城（Hwaseong）芯片厂的半导体研发中心，讨论相关的商业化议题。
www.eet-china.com, Jan. 06, 2020 –
三星电子（Samsung Electronics）已成功开发出业界首款 3 纳米 GAA 工艺技术，副会长李在镕（Lee Jae-yong）1 月 2 日访问了华城（Hwaseong）芯片厂的半导体研发中心，讨论相关的商业化议题。
BusinessKorea、韩国先驱报（Korea Herald）报导，三星电子新开发的 3 纳米 GAA 工艺技术，有望协助公司达成"2030 年半导体愿景"（即于 2030 年在系统半导体、内存芯片领域成为业界领导者）。GAA 是当前 FinFET 技术的升级版，可让芯片商进一步缩小微芯片体积。
李在镕 2 日访问了华城芯片厂，听取 3 纳米工艺技术的研发简报，并与设备解决方案（device solutions，DS）事业群的主管讨论次/世代半导体策略方针。
与5纳米制造工艺相比，采用3纳米GAA工艺技术的芯片尺寸小了 35%、电力消耗量降低 50%，但运算效能却能拉高 30%。三星计划在 2022 年量产3纳米芯片。
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