www.design-reuse-china.com
搜索,选择,比较,与提供商进行安全高效的联系
Design & Reuse We Chat

三星成功开发业界首款3纳米GAA工艺技术,效能增30%

三星电子(Samsung Electronics)已成功开发出业界首款 3 纳米 GAA 工艺技术,副会长李在镕(Lee Jae-yong)1 月 2 日访问了华城(Hwaseong)芯片厂的半导体研发中心,讨论相关的商业化议题。

www.eet-china.com, Jan. 06, 2020 – 

三星电子(Samsung Electronics)已成功开发出业界首款 3 纳米 GAA 工艺技术,副会长李在镕(Lee Jae-yong)1 月 2 日访问了华城(Hwaseong)芯片厂的半导体研发中心,讨论相关的商业化议题。

BusinessKorea、韩国先驱报(Korea Herald)报导,三星电子新开发的 3 纳米 GAA 工艺技术,有望协助公司达成"2030 年半导体愿景"(即于 2030 年在系统半导体、内存芯片领域成为业界领导者)。GAA 是当前 FinFET 技术的升级版,可让芯片商进一步缩小微芯片体积。

李在镕 2 日访问了华城芯片厂,听取 3 纳米工艺技术的研发简报,并与设备解决方案(device solutions,DS)事业群的主管讨论次/世代半导体策略方针。

与5纳米制造工艺相比,采用3纳米GAA工艺技术的芯片尺寸小了 35%、电力消耗量降低 50%,但运算效能却能拉高 30%。三星计划在 2022 年量产3纳米芯片。

点击阅读更多

 Back

业务合作

访问我们的合作伙伴页面了解更多信息

广告发布

访问我们的广告选项

添加产品

供应商免费录入产品信息

© 2018 Design And Reuse

版权所有

本网站的任何部分未经Design&Reuse许可,
不得复制,重发, 转载或以其他方式使用。