0.4V FinFET：台积电宣布面向IoT领域的N12e新工艺

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eetrend.com, Aug. 28, 2020 – 

半导体行业发展的一大推动力，就是"始终连接设备"的爆发式增长。这些设备需要内置的芯片，才能完成相应的计算、通信或控制。随着物联网（IoT）扩展到数十亿计的设备，芯片制造商也需要为客户开发出兼顾成本效益的低功耗工艺节点，以将之推向一个全新的水平。在 2020 年度的技术研讨会上，台积电就公布了该公司最新的 N12e 工艺节点的细节。

由路线图可知，台积电的低电功耗、低泄漏平台，主要围绕流行工艺节点进行技术优化。过去十年，台积电在 90nm、55nm、40nm 和 22nm 节点上，都有推出过相应的低功耗版本。

每一次的迭代，都可带来管芯面积和功耗的降低，以及针对特定需求的其它优化。不同的是，此前的技术都是在平面上展开，而新一代 N12e 工艺却基于面向未来的 FinFET 。

在类似的情况下，FinFET 的构建工作，将较平面晶体管要复杂得多，成本的上升已是必然。不过在 FinFET 技术带来的制程缩放和功耗控制的优势面前，市场仍对其抱有浓厚的兴趣。

为求稳妥，台积电也没有在很早的时候就推出 FinFET 。而是在等待了数代之后，才将其最先进的 FinFET 设计部署到了 IoT 市场，以便行业有足够的时间来应对设计制造上的过渡缓冲。

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