英特爾加速製程與封裝創新

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英特爾(Intel)首次詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃，並宣布一系列基礎創新，為2025年及其之後的產品注入動力。

www.eettaiwan.com, Aug. 03, 2021 –

除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外，尚有稱作PowerVia之業界首款背部供電的方案。英特爾亦強調迅速轉往下一世代EUV工具的計畫，稱之為高數值孔徑(High NA) EUV。英特爾可望獲得業界首款High NA EUV量產工具。

產業早已意識到，目前以奈米為基礎的製程節點命名方式，並不符合自1997年起採用閘極長度為準的傳統。英特爾公佈其製程節點全新的命名結構，創造清晰並具備一致性的架構，給予客戶更為精確的製程節點認知。隨著英特爾成立Intel Foundry Services，這種重要性更勝以往。

英特爾技術專家們以新的節點命名方式，詳述下列未來製程與效能藍圖規劃，以及各節點所具備的創新技術：

Intel 7：植基於鰭式場效電晶體(FinFET)最佳化，相較Intel 10nm SuperFin每瓦效能可提升大約10~15%。Intel 7將會使用在2021年的Alder Lake用戶端產品，以及2022年第一季量產的Sapphire Rapids資料中心產品。
Intel 4：全面使用極紫外光(EUV)微影技術，透過超短波長的光，印製極小的形狀。伴隨每瓦效能提升約20%，以及面積改進，Intel 4將於2022下半年準備量產，2023年開始出貨，client用戶端Meteor Lake和資料中心Granite Rapids將率先採用。
Intel 3：進一步汲取FinFET最佳化優勢與提升EUV使用比例，以及更多的面積改進，Intel 3相較Intel 4約能夠提供18％的每瓦效能成長幅度。Intel 3將於2023下半年準備開始生產。