三星3nm GAA工艺2022年上半年量产，2nm将于2025年量产

搜索最新SoC解决方案
关于汽车电子...物联网...安全...音频...视频

在先进晶圆代工市场，英特尔虽然高调杀入，但赶上第一集团仍需时日。作为当前唯一一家能与台积电分庭抗礼的厂家，三星此举极具进攻性。

www.eet-china.com, Oct. 09, 2021 – 

在10月7日的举行的"三星晶圆代工论坛（Samsung Foundry Forum）2021"活动上，三星披露了代工业务技术路线图。除了全新的17nm工艺，还宣布将于2022年上半年量产3nm工艺，更先进的2nm工艺将于2025年量产。

在先进晶圆代工市场，英特尔虽然高调杀入，但赶上第一集团仍需时日。作为当前唯一一家能与台积电分庭抗礼的厂家，三星此举极具进攻性。

三星晶圆代工部门总裁Choi Si-young表示：新冠疫情加速数字化，三星的客户和伙伴将得以在适当时机提供适当技术，开发硅应用的无限潜力。"我们将全面提供制造产能，在最先进的技术方面维持领先，持续在应用层面精进技术。"

推出全新17nm工艺

在此次论坛上，三星宣布推出了全新的17LPV工艺，即Low Power Value的17nm工艺。

实际上，17LPV工艺就是28nm工艺的演进版，其融合了28nm BEOL后端工序、14nm FEOL前端工序，也就是在28nm节点的基础上，加入了14nm FinFET立体晶体管，只需不高的成本，就能享受后者的能效优势。

三星称，17LPV工艺相比传统28nm，芯片面积可缩小43%，可以带来39%的性能提升或者49%的功耗降低。

三星17LPV工艺的量产时间没有说，但三星已经宣布第一个服务对象是ISP图像信号处理器，属于三星自家的CMOS传感器产品线。

此外，三星还打造了14nm LPU工艺，即Low Power Ultimate，但并未透露详情，可能也是28nm BEOL加上14nm FEOL。

2022年量产3nm

FinFET晶体管结构潜力几乎已经被挖掘殆尽，为了在半导体工艺工艺上追赶上台积电，三星在3nm工艺的研发当中就率先引入了全新的GAA（Gate-all-around，环绕栅极）技术，并计划于2021年下半年领先台积电量产3nm。

虽然在今年上半年，三星宣布其3nm GAA工艺已成功流片（Tape Out），但是在三星代工论坛活动上，三星表示转移到全新的GAA技术难度很高，3nm工艺将推迟到2022年上半年量产。三星的3nm工艺上还分为两个版本，其中3GAE（低功耗版）将在2022年年初投入量产，3GAP（高性能版）则会在2023年年初批量生产。

对比5nm，三星新的3nm GAA可以让面积缩小35%，同功耗下性能提高30%，同性能下功耗降低50%。

2nm工艺或在2025年量产

2nm工艺没有出现在公开路线图上，但是三星代工市场策略高级副总裁MoonSoo Kang透露，2GAP工艺会在2025年量产。

这是三星第一次透露2nm工艺的规划，但三星也警告说，新工艺进度还要看客户的规划和部署，所以我们推测，2026年可能是见到三星2nm工艺产品上市的更合理时间。

点击阅读更多

 Back