www.design-reuse-china.com
搜索,选择,比较,与提供商进行安全高效的联系
Design & Reuse We Chat
D&R中国官方微信公众号,
关注获取最新IP SOC业界资讯

三星3nm GAA工艺2022年上半年量产,2nm将于2025年量产

在先进晶圆代工市场,英特尔虽然高调杀入,但赶上第一集团仍需时日。作为当前唯一一家能与台积电分庭抗礼的厂家,三星此举极具进攻性。

www.eet-china.com, Oct. 09, 2021 – 

在10月7日的举行的"三星晶圆代工论坛(Samsung Foundry Forum)2021"活动上,三星披露了代工业务技术路线图。除了全新的17nm工艺,还宣布将于2022年上半年量产3nm工艺,更先进的2nm工艺将于2025年量产。

在先进晶圆代工市场,英特尔虽然高调杀入,但赶上第一集团仍需时日。作为当前唯一一家能与台积电分庭抗礼的厂家,三星此举极具进攻性。

三星晶圆代工部门总裁Choi Si-young表示:新冠疫情加速数字化,三星的客户和伙伴将得以在适当时机提供适当技术,开发硅应用的无限潜力。"我们将全面提供制造产能,在最先进的技术方面维持领先,持续在应用层面精进技术。"

推出全新17nm工艺

在此次论坛上,三星宣布推出了全新的17LPV工艺,即Low Power Value的17nm工艺。

实际上,17LPV工艺就是28nm工艺的演进版,其融合了28nm BEOL后端工序、14nm FEOL前端工序,也就是在28nm节点的基础上,加入了14nm FinFET立体晶体管,只需不高的成本,就能享受后者的能效优势。

三星称,17LPV工艺相比传统28nm,芯片面积可缩小43%,可以带来39%的性能提升或者49%的功耗降低。

三星17LPV工艺的量产时间没有说,但三星已经宣布第一个服务对象是ISP图像信号处理器,属于三星自家的CMOS传感器产品线。

此外,三星还打造了14nm LPU工艺,即Low Power Ultimate,但并未透露详情,可能也是28nm BEOL加上14nm FEOL。

2022年量产3nm

FinFET晶体管结构潜力几乎已经被挖掘殆尽,为了在半导体工艺工艺上追赶上台积电,三星在3nm工艺的研发当中就率先引入了全新的GAA(Gate-all-around,环绕栅极)技术,并计划于2021年下半年领先台积电量产3nm。

虽然在今年上半年,三星宣布其3nm GAA工艺已成功流片(Tape Out),但是在三星代工论坛活动上,三星表示转移到全新的GAA技术难度很高,3nm工艺将推迟到2022年上半年量产。三星的3nm工艺上还分为两个版本,其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产,3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。

对比5nm,三星新的3nm GAA可以让面积缩小35%,同功耗下性能提高30%,同性能下功耗降低50%。

2nm工艺或在2025年量产

2nm工艺没有出现在公开路线图上,但是三星代工市场策略高级副总裁MoonSoo Kang透露,2GAP工艺会在2025年量产。

这是三星第一次透露2nm工艺的规划,但三星也警告说,新工艺进度还要看客户的规划和部署,所以我们推测,2026年可能是见到三星2nm工艺产品上市的更合理时间。

点击阅读更多

 Back

业务合作

广告发布

访问我们的广告选项

添加产品

供应商免费录入产品信息

© 2021 Design And Reuse

版权所有

本网站的任何部分未经Design&Reuse许可,
不得复制,重发, 转载或以其他方式使用。