Intrinsic联合Imec开发新型忆阻器，采用CMOS工艺

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news.eeworld.com.cn, Feb. 07, 2022 – 

Intrinsic表示，它已成功扩展其基于氧化硅的电阻随机存储器 (RRAM)，并展示了电气性能特性，使其能够在先进处理节点的逻辑器件中用作高性能、低成本、嵌入式、非易失性存储器。

Intrinsic 与其在比利时的合作伙伴 imec 一起，将 RRAM 器件的尺寸缩小到 50 nm，该公司表示，这些器件已展示出出色的开关行为，这是它们用作下一代非易失性固态存储器的关键。这些器件在物理尺寸（缩放）和电气性能特性方面都与半导体行业使用的先进半导体制造工艺节点兼容，使其适用于边缘人工智能和物联网应用。

Intrinsic 首席执行官 Mark Dickinson 表示："我们很高兴达到了这一关键里程碑，证实了我们的理论分析，即这些设备可以制成纳米级尺寸。对于半导体行业而言，这意味着最终将有一种简单且低成本的方法将非易失性存储器集成到任何芯片中。"

使用 Intrinsic 的技术，任何芯片设计人员都可以嵌入非易失性存储器，其读取速度与静态随机存取存储器 (SRAM) 一样快，但成本和功耗只是其几分之一。 Intrinsic 声称，这些获得专利的"忆阻器"器件（带有存储功能的电阻器）采用行业标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 材料和工艺，可在 300 毫米硅晶片上制造，将开启嵌入式非易失性存储器的新时代。这具有全面的应用，从实现更便宜、更高效的微控制器单元到在设计人工神经网络时改变范式。

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