弯道超车？三星3nm制程有可能先于台积电投产

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finance.sina.com.cn, May. 02, 2022 – 

集微网消息，据台媒《经济日报》5月2日转引外媒披露，三星在对投资人释出的最新简报中透露，旗下3nm制程将在未来几周内开始投产，进度比台积电更快，力图弯道超车，正式引爆今年台积电与三星最先进的制程竞争激战。

台积电向来不对竞争对手置评。台积电先前于法说会上指出，采用FinFET架构的3nm依原规画在下半年量产，将是"下个大成长节点"。

　　业界人士分析，三星虽然宣称3nm迈入量产倒数计时，但从晶体管密度、效能等层面分析，三星的3nm与应与台积电5nm家族的4nm，以及英特尔的Intel 4制程相当。

　　据台媒《经济日报》分析，三星以"3nm"为最新制程进度命名，表面上赢了面子，但在晶体管密度、效能等都还是落后台积电，"实际上还是输了里子"。

　　TechSpot等外媒报导，三星向投资人简报表示，正全力准备让GAA架构的台积电3nm制程在今年上半年进入投产阶段，也就是在未来八周内启动量产程序，意味3nm量产倒数计时。

　　三星表示，相较于目前旗下7nm FinFET架构制程，新的3nm制程所生产的芯片，可以在0.75伏特以下的低电压环境工作，使整体耗电量降低50%，效能提升30%，芯片体积减少45%。

　　分析师指出，三星的3nm制程所能达到的晶体管密度，最终可能与英特尔的制程4或者台积电的nm米家族当中的4nm相当，但是频宽与漏电控制表现会更好，带来更优异的效能。

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