上峰科技與X-FAB合作於XH018製程平台成功導入創新OTP I-fuse S3架構

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OTP矽智財供應商上峰科技與歐洲晶圓大廠X-FAB共同宣佈，上峰科技創新的一次性可編程記憶體OTP I-fuse S3架構已成功導入X-FAB的0.18微米製程…

www.eettaiwan.com, May. 11, 2022 – 

OTP矽智財供應商上峰科技(Attopsemi)與歐洲晶圓大廠X-FAB共同宣佈，上峰科技創新的一次性可編程記憶體OTP I-fuse S3架構已成功導入X-FAB的0.18微米製程，並已支援客戶於各規格(512bits~8KBytes)成功進入量產階段。

上峰科技的創新I-fuse S3架構與前一代架構相比，可在不犧牲燒錄電壓及其他既有優勢下，降低至少50% OTP面積。例如在XH018製程下，可將峰值和平均電流消耗降低1/3~1/2，同時僅需3.3V標準I/O燒錄電壓。

X-FAB的XH018製程專注於提供客戶高效能模組感測器和高壓EPI技術，且於1.8V/3.3V超低噪製程技術(ultra-low noise)上，提供多種車規等級(-40~175℃) OTP選項。上峰科技的I-fuse將於XH018的NVM產品架上登錄。

「上峰科技前一代的I-fuse已在 0.18微米和0.13微米平台上量產，而此次上峰科技創新的一次性可編程記憶體OTP I-fuse S3架構的導入，為X-FAB提供市場更完整、更高規的NVM解決方案。」X-FAB記憶體解決方案行銷經理Nando Basile表示：「I-fuse S3新架構在XH018製程下不需要額外的光罩，能為我們客戶提供面積上的優勢，為我們的客戶提供了相當具競爭力的晶片成本。」

上峰科技董事長莊建祥表示：「上峰科技致力於提供客戶高規格、高可靠度的OTP技術設計服務，而我們對XH018製程的高良率非常滿意，此次與X-FAB成功合作，亦促成車用及醫療等不同領域的專案開發，擴大上峰科技在OTP市場佈局。」

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