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日本入局,全球2纳米制程争夺战升级

www.eefocus.com, Jun. 16, 2022 – 

半导体制程不断微缩,面临物理极限,当下全球2纳米芯片先进制程之战的号角已然吹响。

据外媒消息,继台积电、三星、英特尔、IBM加码2纳米后,先进制程之争再升级,日本和美国达成共识,称最早在2025年在日本建立2纳米半导体制造基地。

头部厂商为何对2纳米势在必得?

2纳米作为3纳米之后的下一个先进工艺节点,对于技术革新十分关键。

TrendForce集邦咨询分析师乔安表示,半导体制程已逐渐逼近物理极限,因此晶体管架构的改变、新兴材料的应用、亦或是封装技术的演进都会是芯片持续提高效能、降低功耗的关键。而业界认为,在新结构的创新和新材料的引入上,2纳米有望成为新的转折点。

首先是结构上,根据国际器件和系统路线图(IRDS)的规划,在2021}2022年以后,鳍式场效应晶体管(FinFET)结构将逐步被环绕式栅极(GAAFET)结构所取代。所谓GAAFET结构,是通过更大的闸极接触面积提升对电晶体导电通道的控制能力,从而降低操作电压、减少漏电流,有效降低芯片运算功耗与操作温度。

从3纳米开始,业界便已显现出从FinFET结构过渡到GAAFET结构技术节点的迹象,台积电方表示,3纳米的架构将会沿用FinFET结构,而三星则选择采用GAAFET结构。

而2纳米制程的推进,则将这一趋势贯彻到底。业内消息透露,台积电的2纳米工艺也将采用GAAFET架构。

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