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日本入局，全球2纳米制程争夺战升级
www.eefocus.com, Jun. 16, 2022 –
半导体制程不断微缩，面临物理极限，当下全球2纳米芯片先进制程之战的号角已然吹响。
据外媒消息，继台积电、三星、英特尔、IBM加码2纳米后，先进制程之争再升级，日本和美国达成共识，称最早在2025年在日本建立2纳米半导体制造基地。
头部厂商为何对2纳米势在必得？
2纳米作为3纳米之后的下一个先进工艺节点，对于技术革新十分关键。
TrendForce集邦咨询分析师乔安表示，半导体制程已逐渐逼近物理极限，因此晶体管架构的改变、新兴材料的应用、亦或是封装技术的演进都会是芯片持续提高效能、降低功耗的关键。而业界认为，在新结构的创新和新材料的引入上，2纳米有望成为新的转折点。
首先是结构上，根据国际器件和系统路线图(IRDS)的规划，在2021}2022年以后，鳍式场效应晶体管(FinFET)结构将逐步被环绕式栅极（GAAFET）结构所取代。所谓GAAFET结构，是通过更大的闸极接触面积提升对电晶体导电通道的控制能力，从而降低操作电压、减少漏电流，有效降低芯片运算功耗与操作温度。
从3纳米开始，业界便已显现出从FinFET结构过渡到GAAFET结构技术节点的迹象，台积电方表示，3纳米的架构将会沿用FinFET结构，而三星则选择采用GAAFET结构。
而2纳米制程的推进，则将这一趋势贯彻到底。业内消息透露，台积电的2纳米工艺也将采用GAAFET架构。
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