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台积电最新工艺路线图：2nm正式亮相
www.eefocus.com, Jun. 19, 2022 –
在其 2022 年技术研讨会上，台积电正式公布了其 N2（2 纳米级）制造技术，该技术计划于 2025 年某个时间投入生产，并将成为台积电第一个使用其基于纳米片的栅极全方位场效应的节点晶体管（GAAFET）。新节点将使芯片设计人员能够显著降低其产品的功耗，但速度和晶体管密度的改进似乎不太明显。
台积电的 N2 是一个全新的平台，广泛使用 EUV 光刻技术，并引入了 GAAFET（台积电称之为纳米片晶体管）以及背面供电。新的环栅晶体管结构具有广为人知的优势，例如大大降低了漏电流（现在栅极围绕沟道的所有四个边）以及调节沟道宽度以提高性能或降低功耗的能力. 至于背面电源轨，它通常旨在为晶体管提供更好的电力输送，为后端 (BEOL) 中电阻增加的问题提供解决方案。新的电源传输旨方案在提高晶体管性能并降低功耗。
在其 2022 年技术研讨会上，台积电正式公布了其 N2（2 纳米级）制造技术，该技术计划于 2025 年某个时间投入生产，并将成为台积电第一个使用其基于纳米片的栅极全方位场效应的节点晶体管（GAAFET）。新节点将使芯片设计人员能够显著降低其产品的功耗，但速度和晶体管密度的改进似乎不太明显。
台积电的 N2 是一个全新的平台，广泛使用 EUV 光刻技术，并引入了 GAAFET（台积电称之为纳米片晶体管）以及背面供电。新的环栅晶体管结构具有广为人知的优势，例如大大降低了漏电流（现在栅极围绕沟道的所有四个边）以及调节沟道宽度以提高性能或降低功耗的能力. 至于背面电源轨，它通常旨在为晶体管提供更好的电力输送，为后端 (BEOL) 中电阻增加的问题提供解决方案。新的电源传输旨方案在提高晶体管性能并降低功耗。
从功能集的角度来看，台积电的 N2 看起来是一项非常有前途的技术。至于实际数字，台积电承诺 N2 将让芯片设计人员在相同功率和晶体管数量下将性能提升 10% 至 15%，或者在相同频率和复杂度下将功耗降低 25% 至 30%，同时，与N3E 节点相比，芯片密度增加了 1.1 倍以上。
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