联电和英特尔宣布12nm制程工艺合作

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集微网报道 联华电子和英特尔今(25)日共同宣布，双方将合作开发12nm制程平台，以应对移动、通讯基础建设和网络等市场的快速成长。这项长期合作结合英特尔位于美国的大规模制造产能，和联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验，以扩充制程组合，同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链，协助全球客户做出更好的采购决策。

www.laoyaoba.com/, Jan. 25, 2024 – 

英特尔资深副总裁暨晶圆代工服务(IFS)总经理Stuart Pann表示，几十年来，中国台湾一直是亚洲和全球半导体及广泛的技术生态系的重要成员，英特尔致力于与联电这样的台湾创新企业合作，为全球客户提供更好的服务。英特尔与联电的策略合作进一步展现了为全球半导体供应链提供技术和制造创新的承诺，也是实现英特尔在2030年成为全球第二大晶圆代工厂的重要一步。

联电共同总经理王石表示，联电与英特尔进行在美国制造的12nm FinFET制程合作，是本公司追求具成本效益的产能扩张，和技术节点升级策略的重要一环。此举并延续我们对客户的一贯承诺。这项合作将协助客户顺利升级到此关键技术节点，同时受惠于扩展位于北美市场产能带来的供应链韧性。联电期待与英特尔展开策略合作，利用双方的互补优势，以扩大潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。

此项12nm制程将善用英特尔位于美国的大规模制造能力和 FinFET晶体管设计经验，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的强大组合。受惠于联电在制程上的领导地位，以及为客户提供PDK及设计支援方面的数十年经验，得以更有效地提供晶圆代工服务。新的制程将在英特尔位于美国亚利桑那州 Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32厂进行开发和制造，通过运用晶圆厂的现有设备将可大幅降低前期投资，并最佳化利用率。

双方将致力满足客户需求，通过生态系合作伙伴提供的电子设计自动化(EDA)和IP解决方案，合作支援12nm制程的设计实现(design enablement)。此12nm制程预计在2027年投入生产。

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