有关Intel 18A工艺的最新信息

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作者：电子创新网张国斌

www.eetrend.com/, Sept. 06, 2024 – 

英特尔强调最新节点上的产品设计和工艺准备进展顺利，已具备更早地过渡到Intel 18A的能力。英特尔即将实现"四年五个制程节点（即在4年内完成Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A五个先进制程节点）"计划，将提前把工程资源从Intel 20A投入到Intel 18A，按计划于2025年推出Intel 18A。

英特尔强调：

1、Intel 18A在晶圆厂里的生产良好，良率表现优秀，基于Intel 18A的产品已上电运行并顺利启动操作系统。目前，Intel 18A的缺陷密度已经达到D0级别，小于0.40。

2、今年7月，英特尔发布了Intel 18A 制程节点上的设计套件（PDK1.0版本），得到了生态系统的积极响应。

3、通过Intel 20A，英特尔首次成功地集成了RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术，这两项技术都将用于Intel 18A。这展示了半导体创新的迭代特性，英特尔将把这些进步带给英特尔代工服务的客户。

Intel 18A的开发建立在Intel 20A所奠定的基础之上，体现了英特尔不断探索和完善对推进摩尔定律至关重要的新技术、材料和晶体管架构的实践。

有关Intel 18A工艺，有一个重要的技术术语就是RibbonFET全环绕栅极晶体管架构，其实纵观半导体工艺技术的发展历史，就是一部关于晶体管从平面到立体的发展史。

从最早的平面晶体管发展到FinFET（Fin Field-Effect Transistor）的鳍式场效应晶体管再到如今的"GAA FET"（Gate-All-Around Field-Effect Transistor，全环绕栅极晶体管或者叫"全栅场效应晶体管"）。

在具体实现上，GAA FET全环绕栅极晶体管根据源极与漏极之间通道的长宽比不同，分为纳米线结构以及纳米片结构两种，后者使用更宽和更厚的线（片）来改进静电特性和驱动电流。三星的3nm GAA就号称采用纳米片结构，而官方对外宣称的技术英文名为Multi-Bridge Channel FET（MBCFET，多桥通道场效晶体管）。

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