|
|
www.design-reuse-china.com |
新世代IC技术大爆发:进展减速却精彩纷呈
随着半导体工艺持续朝着距离只有几个节点、难以突破的技术壁垒接近,半导体技术蓝图出现了发展"分支"的征兆...
eet-china.com, Jun. 10, 2019 –
未来新一代晶体管可能会有出自英特尔(Intel)、三星(Samsung)与台积电(TSMC)的不同血统──随着半导体工艺持续朝着距离只有几个节点、难以突破的技术壁垒接近,这是半导体技术蓝图正出现分支的征兆之一。
在比利时安特卫普(ANTWERP)举行的Imec年度技术论坛(Imec Technology Forum,ITF)上,该研究机构的研究人员列出了一位观察家形容为"寒武纪生命大爆发"(Cambrian explosion)的硅芯片技术演进选项,涵盖了各种新的晶体管、材料、架构以及封装技术。
Imec首席技术官Luc van den Hove在专题演说中表示:"通用组件可能不复存在...1D平面架构的技术蓝图已经不再足够。未来会如何还不清楚,我们需要更多选项;"从该机构展示的一张发人深省之技术蓝图,工程师会需要利用所有可行的方案来实现技术演进。
根据Imec预测,半导体工艺特征尺寸在接下来几个节点会继续以个位数纳米微缩,但在2纳米节点的40纳米闸极长度与16纳米金属间距之后,恐怕不会再往下缩小。
Imec展示的技术蓝图中,7纳米节点与目前晶圆代工业者的5纳米节点类似。
阅读更多