新思科技与三星合作，加速推广变革性3纳米GAA技术

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技术更先进的Fusion Design Platform为AI、HPC和5G等高增长市场提供了更高水平的性能功耗比。

www.eetrend.com, Jul. 07, 2021 – 

• 环绕式栅极 (GAA) 晶体管架构为满足功耗和性能敏感型设计的苛刻需求提供了全新的机会和更高的自由度
• 基于双方的深度研发合作和探索，新思科技与三星实现了以GAA为核心的功耗优化技术关键创新，能够确保领先的PPA和性能功耗比
• 复杂多子系统SoC的成功流片，加速了三星最新3纳米GAA工艺技术对新思科技Fusion Design Platform的认证

新思科技（Synopsys, Inc.， 纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，其Fusion Design Platform™已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统（SoC）一次性成功流片，验证了下一代3纳米（nm）环绕式栅极（GAA）工艺技术在功耗、性能和面积（PPA）方面的优势。此次流片成功是新思科技和三星之间广泛合作的成果，旨在加快提供高度优化的参考方法学，实现全新3D晶体管架构所固有的卓越功耗和性能。

新思科技提供的参考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括业界唯一高度集成的、基于金牌签核引擎的RTL到GDSII设计流程，以及最受业界信赖的金牌签核产品。采用三星最新3nm GAA工艺的客户，可在高性能计算（HPC）、5G、移动应用和人工智能 (AI) 应用领域, 为下一代设计实现理想PPA目标。

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