恩智浦首个FD-SOI芯片意味着什么？

Rick Merritt, EETimes, Apr. 18, 2017 –

恩智浦今年使用三星的28nm全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）工艺生产多达五种SoC，其中一种的样品的试制已经进行了6个月。三星预计将在五月份公布其FD-SOI路线图，并正在为其开发RF和内部嵌入式MRAM。

恩智浦的一位执行官在一次活动上展示了该产品的第一个样品，这是FD-SOI漫长旅程中的一个关键的里程碑。下一步是为该工艺找到嵌入式非易失性存储器（Embedded Non-Volatile Memory），因为人们预计嵌入式flash存储器将在14nm处达到极限。

Globalfoundries去年宣布了它们的首个FD-SOI流片，并表示现在有70个客户预定。但一个Globalfoundries高管拒绝透露它们的第一款22nm FD-SOI商业芯片将在何时发布，以及在此过程中完成了多少流片。