三星计划2020年推出4nm工艺和第二代FD-SOI

在未来三年内，也就是 2017 年至 2020 年之间，三星半导体的工艺技术将一步步的向前推进。计划在 2017 年底之前试产 8 nm工艺技术...

EETimes China, May. 26, 2017 – 

根据EETimes美国报导，日前积极宣布准备拆分晶圆制造事业，并期望能在市场上一举超越台积电的韩国三星，24 日举办了记者说明会，现场公布了旗下最新的工艺技术路线图。根据规划，在新的路线图中，三星希望能够在 2020 年推出 4 nm工艺技术，与届时将推出 5 纳米工艺的台积电一较高下。

报导中指出，根据三星的计划，在未来三年内，也就是 2017 年至 2020 年之间，三星半导体的工艺技术将一步步的向前推进。计划在 2017 年底之前试产 8 nm工艺技术，2018 年量产 7 nm工艺技术，2019 年则陆续研发 6 nm以及 5 nm工艺，时程再推进到 2020 年之际，三星希望直接将MBCFET技术投入到其4nm低功耗（LPP）工艺中。

从现在到2020年之间，三星计划在今年投产8nm LPP工艺，明年则是一个采用EUV 的7nm LPP工艺，并于2019年推出5nm和6nm LPP工艺。

点击查看更多 ...

 Back