FD-SOI ready to make big business by opportunities of IoT market

搜索最新SoC解决方案
关于汽车电子...物联网...安全...音频...视频

若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工业者着眼于应用广泛、无所不包的物联网(IoT)市场对低功耗、低成本组件需求而推出的各种中低阶制程技术选项，也是产业界的关注焦点。

Feb. 06, 2018 – 

若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工业者着眼于应用广泛、无所不包的物联网(IoT)市场对低功耗、低成本组件需求而推出的各种中低阶制程技术选项，也是产业界的关注焦点。

例如晶圆代工龙头台积电(TSMC)的16与12奈米FFC (FinFET Compact Technology)、22奈米超低功耗(ULP)、28奈米HPC/HPC+，以及40奈米ULP、55奈米ULP与低功耗(LP)等逻辑制程，还有英特尔(Intel)的22奈米低功耗FinFET (22FFL)制程、GlobalFoundries的28奈米HPP (High Performance Plus)/SLP (Super Low Power)、22FDX制程，以及三星电子(Samsung)的28奈米FDSOI、LPP、LPH…等等，都是适合广泛物联网应用市场需求特性的解决方案。

其中GlobalFoundries的FDX系列制程与Samsung的FD-SOI制程，与其他竞争方案之间的最大差异，就在于采用了无论是英文或中文读来都十分拗口的"全空乏绝缘上覆硅"(Fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)技术；该技术早在2011年就由SOI产业联盟(SOI Industry Consortium)、意法半导体(ST)以及其研发伙伴IBM、GlobalFoundries、三星等率先在业界推广，号称在28奈米与20 (22)奈米节点能达到由英特尔、台积电等支持的新一代FinFET制程相当的性能，但成本与风险更低。

 Back