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Samsung plant blackout may cause short-term global NAND insufficient supply

Mar. 12, 2018 – 

据韩国当地媒体报道,3月9日三星位于平泽的NAND工厂突然遭遇30分钟的意外停电。尽管备用的不间断电源可以应对20分钟左右的突发状况,但是在CVD(化学气相沉积)、扩散、蚀刻和离子注入等工艺中,60分钟的停电可能将影响60%的输入晶圆片(即等待加工的晶圆片)。一般情况下,超过20分钟的任意停电将导致一半以上的输入晶圆报废。由于平泽工厂此次停电事故,预计3月份全球NAND供应将暂时收紧,同时预计这次事故会降低全球NAND库存水平。

花旗银行分析,三星3月份11%的NAND产能预计将受到影响。目前,三星平泽工厂一层每月NAND产能为90k片晶圆,二层DRAM/NAND装备则正在安装中。尽管有不间断电源备用,预计此次停电事故仍将影响到60%的产能。如果以三星NAND总产能514k片/月来计算,估计三星3月份NAND芯片出货量的11%将报废。目前全球每月NAND产能为1,557k片/月,因此预计2018年3月全球NAND供应量将下降3.5%。

不过三星有事故保险,因此停电事故对其影响有限。三星的内存晶圆厂都投了事故保险,此次意外停电可获得一笔保险赔偿,因此对三星的利润影响不大。此外,由于其有充足的NAND库存准备,相信三星的销售和运营也不会受到影响。

花旗银行指出,受服务器DRAM采用1xnm和1ynm驱动, 预计三星将继续保持强劲增长。SK Hynix方面,预计2018年强劲的服务器DRAM和SSD需求将使该公司创下新的盈利纪录。

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