The first 90nm! GF silicon photon breakthrough: distance up to 120 km

GlobalFoundries(格芯)近日宣布，已经使用30m毫米晶圆，认证了行业首个90nm制造工艺的硅光子芯片，未来将使用更新的45nm工艺提升带宽和能效，推动数据中心和云应用的新一代光学互连。

不同于利用铜线电信号传输数据的传统硅互连，硅光子技术使用光纤光脉冲，以更高的速度，在更远距离上传输数据，并降低能耗，可应对全球通信基础设施中的大规模数据增长。Intel、IBM都在深入研究硅光子技术。

GF表示，其硅光子技术可在单个硅芯片上并排集成微小光学组件与电路，"单芯片"方案利用标准硅制造技术，提高部署光学互连系统的效率，并降低成本。

GF的最新硅光子产品依托90nm RF SOI工艺，发挥了其在制造高性能射频(RF)芯片方面积累的一流经验，可以提供30GHz带宽的解决方案，客户端数据传输速率达到800Gbps，传输距离也增加到120km。

该技术此前使用的晶圆为200毫米，而今GF利用位于纽约州东菲什基尔的10号晶圆厂，认证了300毫米直径的晶圆。

更大尺寸的晶圆有助于提高产能和生产率，让光子损失减少2倍，扩大覆盖范围，实现效率更高的光学系统。

Cadence Design Systems公司用于E/O/E、协同设计、极化、温度和波长参数的完整PDK支持90nm技术，并提供差异化光子测试能力，包括从技术认证和建模到MCM产品测试的五个测试部分。

GF的下一代单芯片硅光子产品将采用45nm RF SOI工艺，计划2019年投产，功耗更低，体积更小，光学收发带宽更高，可满足新一代兆兆位应用。