Globalfoundries Announced 36 design orders for its 22 nm fully depleted Insulated Silicon Over Insulation (FD-SOI) process technology

Globalfoundries宣布其22nm FD-SOI制程已取得了36张设计订单，今年将出样其中的十几项设计，加上其竞争对手三星计划今年出样20余款28nm FD-SOI芯片，预计将进一步推动FD-SOI迈向新里程。

May. 02, 2018 – 

晶圆代工厂格芯(Globalfoundries；GF)日前宣布其22奈米(nm)全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单，其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面，其竞争对手三星(Samsung)则预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片。

这些最新资料显露出一个可喜的迹象是，FD-SOI最终获得了作为低成本、低功耗鳍式场效晶体管(FinFET)制程替代方案的动能。而在SOI联盟(SOI Consortium)近日于美国加州举行的年度活动中，来自台湾的IP供货商——晶心科技(Andes Technology)宣布，今年7月将推出可执行于Linux的32位RISC-V核心。

VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson对此表示，半导体产业如今看好FD-SOI和FinFET将扮演着彼此互补的角色。

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