Is RDIMM or LRDIMM suitable for your design?

下一代DDR5缓冲芯片呼之欲出，服务器和系统设计人员将很快将DDR5服务器双列直插存储器模块（DIMM）缓冲芯片组纳入其新设计中。但服务器/系统设计师可能在思考的问题是：在带寄存器的DIMM（RDIMM）或减负（load-reduced）DIMM（LRDIMM）间如何取舍？了解RDIMM和LRDIMM之间基本差异非常重要，因为这些差异如何有助于指导你正确使用DIMM进行设计。某些规范对于帮助你确定要使用的DIMM也至关重要。最后，了解一些关键设计注意事项是有帮助的，它们可作为选择正确DIMM类型的基础。

作者：Doug Daniels, May. 09, 2019 – DDR5 DIMM缓冲芯片正为下一代服务器/系统设计整装待发。你可以选择RDIMM或LRDIMM，但练达的设计师知道要同时保有这两者。

下一代DDR5缓冲芯片呼之欲出，服务器和系统设计人员将很快将DDR5服务器双列直插存储器模块（DIMM）缓冲芯片组纳入他们的新设计中。但服务器/系统设计师可能在思考的问题是：在带寄存器的DIMM（RDIMM）或减少负载的（load-reduced）DIMM（LRDIMM）间如何取舍？

简要的回答是：如果你致力高速和低延迟，那么RDIMM通常适合你。另一方面，当你的设计需要更高的内存密度时，LRDIMM是不二之选。但要使设计高效、没有短板，还有很多事情需要考虑。

服务器/系统设计达人明白：通盘考虑两者是明智之举。为什么？因为你的系统内存容量可能会随时间而变化。最初，你的系统可能没有满载，因此你可以从RDIMM开始，在相对轻载的条件下达到最高速度。但以后，你可能希望增加服务器的内存容量，因此可以使用LRDIMM以提供更大容量。

这就是为何了解RDIMM和LRDIMM之间基本差异非常重要，并了解这些差异如何有助于指导你正确使用DIMM进行设计。某些规范对于帮助你确定要使用的DIMM也至关重要。最后，了解一些关键设计注意事项是有帮助的，它们可作为选择正确DIMM类型的基础。

RDIMM或LRDIMM——选哪种？

RDIMM上有一个带寄存器的时钟驱动器（RCD）。 RCD从主机存储器控制器获取命令地址总线、控制信号和时钟信号，然后将这些信号流扇出到DIMM上的DRAM。

DQ信号数据总线和DQ选通（DQS）直接从存储器控制器传送到DRAM封装。在RCD上缓冲的唯一操作是命令/地址总线、控制信号和DIMM的输入时钟。所有这些都在通过RCD后都会进入RDIMM上的所有DRAM，并重新计时和清理。

与早期的无缓冲DIMM（UDIMM）设计相比，采用RDIMM的设计可跑得更快。与UDIMM相比，将RCD放在RDIMM中可以帮助你加大负载，因为它可以缓冲时钟信号和命令/地址线。在RDIMM中，时钟信号和命令/地址线需要额外的驱动强度，因为它们会进入DIMM上的所有DRAM封装。相比之下，DQ和DQS信号不需要额外的驱动强度，因为它们直接从存储器控制器进入单个DRAM封装或多列DRAM封装。

此外，就RDIMM来说，了解从存储器控制器到DIMM的RCD的命令/地址总线和输入时钟是单向的很重要。相比之下，DQ总线和DQS在存储器控制器和RDIMM上的DRAM之间则是双向的。

接着看LRDIMM，它上面也有一个RCD，并使用多个数据缓冲区（DB）来缓冲主机内存控制器和DRAM之间的进入DQ和DQS信号。DDR5 LRDIMM有10个DBs，每个DB只处理8位数据总线。

对于DDR5，数据总线预计是两个32位通道加上一个8位纠错码（ECC）字节。因此，每个通道上有40位，LRDIMM的每一侧需要5个DBs。

DB和DRAM之间的信号称为MDQ和MDQS，以区别主机端的DQ和DQS信号。这里，主机和DRAM间数据缓冲区的好处是：如果LRDIMM上有多列DRAM，你还降低了数据总线上的负载。

此外，数据缓冲区获得8个数据位，但每半个字节有4个DQ位。对于四个位中的每一个，都有一个DQS选通位，它是差分的，而DQ位是单端的。主机存储器控制器可通过带内（in-band）命令/地址总线或通过串行管理总线对RCD进行配置。主机内存控制器不直接配置数据缓冲区，而是由RCD通过缓冲通信总线（BCOM）配置。

驾驭规范

在规划DDR5设计时，DIMM规格将发挥重要作用。它们很重要，因为它们是量测缓冲芯片、时钟和/或缓冲数据信号质量的标准。你希望能够确保DRAM的输入在经过RCD或DB缓冲后没太多变化。

你还希望确认系统存储器通道时序的预算得以保证。另外，你想知道DB或RCD不会占用从内存控制器到DIMM并返回内存控制器这一往返延迟的太大部分。

就规格本身而言，RDIMM和LRDIMM的一些高阶规格是相似的。例如，速率以存储器通道上的每秒兆次传输（MT/s）来度量。对于DDR5，速率从3,200 MT/s开始、最高可达6,400 MT /s，可能更高。

此外，与DDR4一样，DIMM的内存容量以千兆字节为单位，例如8 GB，16 GB或32 GB。了解功耗也很重要。采用非常结构化的方式测量功耗，具有标准定义的工作和休眠功耗模式。对于数据缓冲区，它区分工作状态下的读、写功耗。

RDIMM上RCD的关键规范与时钟计时有关，因为RCD的主要功能是重新缓冲时钟并将其发送到DRAM。在这里，你需要了解从DIMM输入时钟到RCD输出命令/地址（CA）信号的传播延迟。该规范称为tPDM，包括发出信号的时间，而不仅仅是时钟延迟。

静态偏移（或tSTAOFF）是另一种传播延迟测量，它指的是通过RCD、从输入到输出时钟的时钟延迟。因为这是个缓冲时钟，所以你还需知道输出到DRAM的时钟的抖动量。

动态偏移（或tDYNOFF）是传播延迟的最大变化，是衡量时钟一致性的指标。这对DRAM时序很重要。 tQSK是另一种RCD测量，它是从QCA输出到时钟的偏差（skew）。

对于LRDIMM，以下是数据缓冲区的关键规范。一些重要的测量和规范还与偏差有关；但它们是从DQS或选通到DQ数据（称为tDQSQ）、或每半个字节的引脚之间DQS到DQ的偏差。

你还需要测量数据有效窗口（或tDVWp）。这决定了数据有效窗口可能的宽度，以便数据缓冲区有效处理。对于写入输入，有tDVA和tDVB规范，分别表示：数据有效前；数据有效后。它们告诉你可用于设置和保持数据缓冲区输出到DRAM的时间。

tPDM Read和tPDM Write是通过数据缓冲区的传播延迟的度量。这是针对DQ路径的，因为它是双向的，所以它们在每个方向上都是单独测量的。从主机存储器控制器的角度看：tPDM Read是从DRAM到主机的度量；tPDM Write是从主机到DRAM的度量。

接收器灵敏度是需要了解的LRDIMM数据缓冲区的另一个规范。对于DDR5，信号运行的速度比以前DDR信号要快得多。因此，你需要获得良好的测量结果，包括Vih/Vil（电压输入高电平和低电平）。

设计注意事项

在RDIMM或LRDIMM之间进行选择时，DDR5 MT/s的目标速率是主要考量之一。与LRDIMM相比，RDIMM更便宜、功耗更低。如果系统内存容量不是关键要素，它们还可以实现最高速度。

LRDIMM提供更高的DRAM内存容量。因为数据位在数据缓冲区内缓冲，它们或许能支持更多的封装列。如果你需要最大化服务器中每个CPU的可用内存，LRDIMM实际上是容量大咖。当然要有代价，因为你要向LRDIMM添加10个数据缓冲区。 DIMM设计稍微复杂些。因此，与RDIMM相比，LRDIMM的成本更高，且由于额外的数据缓冲器其功耗也稍高。

摘要

如前所述，RDIMM和LRDIMM都是下一代DDR5设计的可行选择。到底选哪种，取决于你的初始设计目标。如果需要性能更强的服务器设计，随着新的速度和容量需求增加，选用DDR 5 LRDIMM，则系统仍可胜任。