从DDR4过渡DDR5 DIMM缓冲芯片组

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DDR的一些关键变化带来了新的设计挑战。然而，聪明的设计人员将利用这一过渡时期预先确定理想的解决方案...

eet-china.com, Jun. 18, 2019 –

服务器和系统设计人员正摩拳擦掌地为其新一代设计做准备，即将从第四代双倍数据率同步动态随机存取内存(DDR4)过渡到第五代的DDR5服务器双列直插内存模块(DIMM)缓冲芯片组。其中最重要的考虑涉及一些重大的规格变化。预计设计人员将专注于推动服务器设计进展的六项重大转变(见表

表1：DDR5的主要变化（来源：Rambus）

这些变革包括数据与时钟速率、VDD (即组件内部工作电压)、电源架构、信道架构、突波长度以及改善对于更高容量DRAM的支持。这些新的变化也带来了特殊的设计考虑。

主要的变化

DDR4缓冲芯片的最高数据速率为每秒3,200兆次传输(MT/s)，时钟速率为1.6GHz。DDR5则从低阶的3,200MT/s速度开始，并迅速达到6400 MT/s的数据速率和3.2GHz的时钟速率，甚至还在讨论超越此规格的更快传输速度。因此，速度显著提高，随之而来的就是设计挑战。

VDD或工作电压是服务器和系统设计人员将会面对的第二项重大变化。在此，DRAM和缓冲芯片暂存频率驱动器(RCD)将从1.2V降低到1.1V。这将有助于节省功耗。然而，它也会对DIMM的设计带来一些挑战。

因为VDD较低，所以还必须关注于噪声抗干扰度以及VDD噪声。信号容限将会变得更小，因为您现在使用的是1.1V供电而非1.2V；因此，您必须具有良好的DIMM设计以及辨识信号噪声的能力。