半导体先进工艺制程路漫漫

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全球代工业在进入逻辑制程7nm之后已经开始生变，由于研发费用及成本高耸等因素，2018年格罗方德与联电声言止步，因此导致全球代工业中只剩下台积电，三星，英特尔及中芯国际四家在列，而其中的英特尔在商业代工业中是个"小角色"，以及中芯国际尚未明确它的时间表，所以全球只剩下台积电及三星两家在代工中争霸。

ednchina.com, Jul. 02, 2019 – 

摩尔定律象一盏明灯推动半导体业进步，特征尺寸缩小立下汗马功劳。然而现阶段尺寸缩小已近极限。从技术路径，自22nm及以下开始由平面晶体管进入三维finFET结构，之后finFET技术成为主导，有可能一直能推进至近3nm，届时晶体管的架构可能要改变，由finFET转向环栅(GAA)，纳米片(nanosheet)等架构。时至今日5nm技术已经在手，将于2020年开始试产，然而对于3nm技术，目前仍处于研发之中，一切尚待观察。

不容置疑，全球代工业在进入逻辑制程7nm之后已经开始生变，由于研发费用及成本高耸等因素，2018年格罗方德与联电声言止步，因此导致全球代工业中只剩下台积电，三星，英特尔及中芯国际四家在列，而其中的英特尔在商业代工业中是个"小角色"，以及中芯国际尚未明确它的时间表，所以全球只剩下台积电及三星两家在代工中争霸。

5纳米是个坎

众所周知，7nm是长寿命工艺节点之一，目前台积电及三星均称已经量产，而台积电宣称它拿到全球几乎100%的7nm订单。

台积电的5nm finFET计划已经明朗，它计划2020年上半年开始试生产，估计真正的5nm量产要在2021年，或者之后。台积电的5nm技术相比7nm，它的速度快15%，及功耗低30%。TSMC计划它的5nm的第二个版本也将于2020年中期推出，预期它的速度能再快7%。

根据ICKnowledge及TEL的数据，基于FinFET技术，对于7nm的代工工艺，它的栅间距在56nm到57nm及金属连线间距在40nm。

与此同时，三星最近也高调推出了5nm，预计将于2020年上半年量产。与它的7nm相比，三星的5nm finfet技术，与7nm相比它的速度有25%的增长，功耗降低20%，性能提高10%。

预计到2020年时，苹果、海思和高通等都将采用5纳米的产品设计，推动台积电加速向5nm技术过渡，"国际商业战略（IBS）首席执行官汉德尔•琼斯（Handel Jones）表示。"到2020年第四季度时，TSMC 的5nm晶圆产能将达到每月40,000至60,000片。"

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