意法半導體與台積電加速市場採用氮化鎵

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意法半導體(STMicroelectronics，ST)與台積電(TSMC)攜手合作加速氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)製程技術的開發，並將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場。

www.edntaiwan.com, Mar. 02, 2020 – 

透過此合作，意法半導體將採用台積公司領先的氮化鎵製程技術來生產其創新與策略性的氮化鎵產品。

氮化鎵是一種寬能隙半導體材料，相較於傳統的矽基半導體，氮化鎵能夠提供顯著的優勢來支援電力應用，這些優勢包括在較高功率的應用中獲取更大的節能效益，以致寄生功耗大幅降低；氮化鎵技術也容許更多精簡元件的設計以支援更小的尺寸外觀。此外，相較於矽基元件，氮化鎵元件切換速度增快達10倍，同時可以在更高的峰值溫度下運作，這些強大的材料本質特性讓氮化鎵廣泛適用於具備100V與650V兩種電壓範疇之持續成長的汽車、工業、電信，以及特定消費性電子應用產品。

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