SOI晶圆迎来了新风口

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www.shangyexinzhi.com, Mar. 03, 2020 – 

SOI (绝缘层上覆硅) 晶圆具备高效能、低功耗等特性，相较传统矽晶圆，在高频与高功率环境中更具优势，近来受惠5G、AI 边缘运算等应用，对其元件需求持续扩增，且SOI 晶圆单价与毛利是传统矽晶圆的数倍，获利表现可期，中国台湾的晶圆厂包含环球晶、合晶等近来积极扩大布局，盼能站稳5G 世代的风口，抢食商机。

半导体制程持续依循摩尔定律推进，相同晶圆面积下得填入更多电晶体管，闸极(Gate) 线宽便是其中微缩重点。 传统平面构造的MOSFET(金属氧化物半导体场效电晶体) 元件闸极线宽，已微缩至极限，当闸极线宽缩小至20 纳米以下，需改变元件结构，才能持续推进摩尔定律，立体构造的FinFET(鳍式场效电晶体) 元件也因此问世。

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