碳纳米管如何克服整个晶圆衬底的纳米级缺陷？

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www.eefocus.com, Apr. 23, 2020 –

美国麻省理工学院的研究人员采用碳纳米管晶体管（Carbon Nanotube Transistors）成功研制出 16 位 RISC-V 微处理器，其设计流程和工艺均遵照行业标准，但能效比硅基微处理器高 10 倍。

由于硅技术不再遵循历史规律发展，业界已经对硅以外的纳米技术进行了大量研究。尽管基于碳纳米管场效应晶体管（CNFET）的数字电路提供了一种显著提高能效的方法，但因为无法完全控制碳纳米管中固有的纳米级缺陷和可变性，阻碍了其在超大规模集成系统中的应用。