DDR5將帶來什麼設計挑戰？

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DDR5是為了滿足從客戶端系統到高性能伺服器的廣泛應用，在省電性能方面持續增加的需求所設計；特別是後者正面臨密集的雲端與企業資料中心應用越來越高的性能壓力...

www.eettaiwan.com, Dec. 10, 2020 – 

最新版本的雙倍資料速率(DDR) DRAM規格與前一代相較有許多演進，也為打造記憶體元件的設計工程師們帶來新的可能性──甚至還有一些奇怪的挑戰。

由產業標準組織JEDEC Solid State Technology Association在今年稍早公佈的ESD79-5 DDR5 SDRAM標準，是為了滿足從客戶端系統到高性能伺服器的廣泛應用，在省電性能方面持續增加的需求所設計；特別是後者正面臨密集的雲端與企業資料中心應用越來越高的性能壓力。整體來看，與DDR4相較，DDR5規格可提供開發者兩倍的性能與大幅改善的省電效率。

更具體來說，DDR5規格的目標是改善大規模應用的性能，同時在較高速度下的通道效率也不打折扣；這是透過將突發長度(burst length，BL)加倍至BL 16，以及將記憶體庫數量(bank-count)從16增加至32。JEDEC形容將DDR 5架構形容為「革命」，提供更高的通道效率與更高的應用級性能，將可實現下一代運算系統的持續演進。為了可靠性與效率的提升，DDR5 DIMM在同一個模組上具備兩個完全獨立的40位元子通道。

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