CEA-Leti团队为量子比特的大规模集成铺平了道路，这对于实现量子优势至关重要

搜索最新SoC解决方案
关于汽车电子...物联网...安全...音频...视频

CEA-Leti的科学家们使用内部倒装芯片工艺和内部开发的芯片对晶片3D互连技术，为大规模集成Si自旋量子位开辟了道路。

zephyrnet.com, Feb. 11, 2021 –

在2020年电子系统集成技术大会（ESTC）上发表的一篇论文中，研究小组报告了由3D互连制成的芯片组件在低温下的初步电学特性，这些组件如SnAg微凸块和来自Cu / SiO2混合键合工艺的直接Cu键合焊盘。论文"在低于开尔文的温度下进行量子计算的晶片对晶片3D互连"在虚拟事件中获得了最佳论文奖。

该项目着手验证使用CEA-Leti开发的这些现有管芯到晶片工艺的技术，以构建能够在低于1K的温度下可靠运行的互连，在该温度下量子位（量子位）可以最佳地运行。主要目标是在Si自旋qubit器件所需的工作条件下对这些互连的机械和电气性能进行鉴定，并为电阻数据设置参考，以允许进行进一步的系统设计。

该项目还标志着量子器件的封装策略首次被证明具有与不使用铟凸块的大批量生产兼容的互连。铟凸点互连确实确实名义上用于需要低温的应用，例如红外探测器，以及最近的超导量子位。铟的柔软度可适应温度变化产生的机械应力。谷歌和麻省理工学院的研究人员最近使用铟凸块演示了承载超导量子位的全功能量子多芯片组件。