中国半导体先进制程速度放缓，落后国外至少2~3代

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www.riscv-mcu.com, May. 11, 2021 – 

由于受到美国制裁冲击，中国半导体先进制程发展速度趋缓。据日经采访7 家中国主要半导体设备制造商，大多数厂商表示目前中国大陆主要生产14~28nm芯片，落后国外至少2~3 代。

日经于今年3月在中国国际半导体展上访问多家半导体公司，主要获得7 家公司回覆；大多受访者表示，中国半导体先进芯片制程速度已放缓，也表示美国制裁阻碍他们从国外采购零件和材料，但用国内产品替代又会降低成品良率。

上海微电子（SMEE）工程师表示，"我们的主要光刻机是用于90nm，而28nm和14nm在良率方面仍有改善空间。"这家公司是中国唯一商用光刻机制造商。

虽然光刻机相当难生产，但全球最大制造商艾司摩尔（ASML）预计将推出可用于3nm和2nm芯片制造的光刻机。

精于蚀刻技术的中微半导体设备公司（AMEC）的一位研究人员表示，公司有提供5nm制程所需刻蚀机，但主要还是卖用于14nm和28nm制程的刻蚀机。

另一家负责蚀刻技术的制造商Beijing E-Town，主要生产40nm和28nm制程所需的相关设备。该公司员工指出，由于中国打算增加国产半导体的比例，即使是通用半导体设备，也有强劲需求。

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