三星3nm GAE芯片工艺量产时间：或在2022年

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在芯片的制程工艺上，台积电、三星的竞争再次升级。台积电早就主动爆料已经在研究1nm工艺，不过其实际投产时间未定。三星的3nm GAE工艺却或许在2022年部署。

www.eet-china.com, Jul. 11, 2021 –

由贴吧和微博爆料可知，三星在近日举办的2021代工论坛上，展示了其最新的公共技术路线图。尽管初代3nm GAE工艺较预期晚了一年转入量产，但新路线图表明它可能仅供内部使用。同时作为3GAE的继任者，3GAP节点仍在官方路线图上，可知其有望于2023年实现量产。

FinFET 技术方面，5LPP 和 4LPP 节点都是路线图上的新节点，分别将于 2021 / 2022 年开启大批量制造（HVM）。

GAA 技术方面，路线图中看不到 3GAE，但出现了 3GAP 。在与三星取得联系后，公司一位代表向 AnandTech 证实，3GAE 技术仍有望在 2022 年实现量产，但不是所有人都能够用上。