新思科技PrimeLib统一库表征和验证解决方案获三星5nm、4nm和3nm工艺认证

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基于该解决方案，双方共同客户可将汽车、AI、高性能计算和5G芯片设计上市时间缩短5倍并实现黄金质量签核库

www.eetrend.com, Nov. 03, 2021 – 

新思科技（Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，三星晶圆厂（以下简称为"三星"）已在5nm、4nm和3nm工艺技术中认证了新思科技的PrimeLib™;统一库表征和验证解决方案，可满足高性能计算（HPC）、5G、汽车、超连接、航空航天、以及人工智能（AI）芯片等下一代设计的高级计算需求。此次认证还包括对PrimeSim™ Continuum的验证，PrimeSim™ Continuum为新思科技Custom Design Platform和嵌入PrimeLib解决方案中的集成仿真器技术提供了基础，能够为开发者提供无缝仿真体验，协助其实现黄金质量签核。

工艺节点每演进一步就会带来3倍的计算需求增长，库表征的复杂性也随之显著增加。PrimeLib解决方案的关键特性在于在超低电压角之下，先进机器学习（ML）算法和自适应流生成准确统计变化模型的速度比前几代快了近5倍，同时还可降低整体计算成本。这项下一代解决方案还包括针对多PVT表征的创新性SmartScaling技术，可基于新思科技PrimeTime®扩展引擎，以最小表征角即时实现库生成。

三星晶圆厂副总裁Sangyun Kim表示："我们致力于为客户提供最具创新性的技术解决方案，以应对5nm及以下工艺设计和复杂建模日益艰巨的挑战。新思科技PrimeLib库表征和验证解决方案让我们能够以5倍的速度为先进节点提供高质量签核库，协助我们的共同客户加快整体的芯片设计进程和流片生产，从而实现理想的功耗、性能和面积（PPA）目标。"

为满足市场对芯片性能优化、先进工艺节点高质量库和系统设计上云等日益增长的需求，5nm至3nm工艺的精度要求需要先进模型的高效库表征周期，如电迁移（EM）、老化和自由变异格式（LVF）等。针对下一代应用的其他整体变异会导致工艺、电压和温度（PVT）的变化，从而显著影响芯片设计。这些变化最终将导致计算压力增加，即在工艺设计套件（PDK）变更的高峰需求期间需要大量支持，造成设计交付时间的延迟。

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