英特尔正在重点攻关核心微缩技术，叫板三星台积电

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www.eefocus.com, Dec. 18, 2021 –

日前在旧金山举办的2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔公布了在封装、晶体管和量子物理学等方面的关键技术突破，以及先进制程上的进展。在外界看来，英特尔此次高调宣布多项突破，意在与台积电和三星公开叫板。

今年7月，英特尔发布史上最完整的技术路线图，加码半导体制程工艺和封装技术，希望借助创新研究重回行业领导地位。英特尔在IEDM2021上发表多篇论文，向外界大秀肌肉，称这是英特尔历史上发表技术突破最多的一次。

日前，英特尔制造、供应链和营运集团副总裁、战略规划部联席总经理卢东晖，对媒体详细解读了此次的多项技术突破。他在会上感言，研究中最难的就是探路，就好比爬山的人一眼能够看到山顶在哪里，但是不清楚路该怎么走，要带多少补给。

针对未来产品如何集成更多晶体管的问题，英特尔正在重点攻关核心微缩技术，主要的研究突破有三项。

突破一是使用混合键合技术将封装中的互连密度提升10倍以上，对应的是英特尔在今年7月宣布计划推出的Foveros Direct（3D封装技术）。在业内角逐先进制程的背景下，3D堆叠技术已经成为各大厂商投入研究的重点，英特尔此次公布的封装技术突破，展现了其在3D堆叠技术上的实力。