DRAM、NAND很快就会被新型存储器取代吗？

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今年WAIC世界人工智能大会的芯片论坛上，刘明院士就有做过近存与内存计算的研究报告，此前我们也做了报道；本文将对这部分内容有了进一步的延伸。

www.eet-china.com, Dec. 23, 2021 – 

今年中国（上海）集成电路创新峰会的排场相当大，列席的中国科学院和工程院院士就有5个，外加重磅级的企业和政府机构代表。本次峰会有个存储技术论坛，除了包括展锐、东芯半导体、英韧科技、江波龙电子、北京得瑞领新等在内的企业代表所做的主题演讲，有个相关存储前沿技术且相当有干货的主旨报告，来自中国科学院院士、复旦大学芯片与系统前沿技术科学院院长刘明。

所以我们想特别用一篇文章的篇幅来呈现刘明院士的演讲，期望对想要了解存储前沿技术的各位有帮助，可作为对当前存储技术深入的索引。实际上，今年WAIC世界人工智能大会的芯片论坛上，刘明院士就有做过近存与内存计算的研究报告，此前我们也做了报道；本文将对这部分内容有了进一步的延伸。

今年的Aspencore双峰会上，深圳佰维存储科技股份有限公司CEO何瀚曾经从较高抽象层总结过看待存储技术的大方向，及其对应的演进方向，有兴趣的读者可前往阅读。刘明院士的分享，是从存储介质方面所做的技术探讨。

从存储介质的角度来看，易失性和非易失性存储器是两个大类。比如DRAM、NAND等都是很多读者耳熟能详的。若期望存储器有着较长的数据保持时间，那么potential well（势阱）barrier就要高；如果要求处理速度快，则barrier就需要低。所以存储器的处理和存储性能很难做同步优化。"这是这类存储器本身的物理局限性决定的。"刘明说。

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