告别FinFET倒计时？

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www.semiinsights.com, Feb. 02, 2022 –

将越来越多的技术融入不断减少的足迹中的斗争始终存在每个设计师的脑海中。为了应对这一挑战，英特尔通过其最近公布的专利申请表明了其对提高电路密度的兴趣。

传统上，该行业遵循摩尔定律描述的轨迹，构建更小的晶体管，设计人员可以更紧密地封装在一起。然而，在此应用中，英特尔建议将 N 型金属氧化物半导体 (NMOS) 和 P 沟道金属氧化物半导体 (PMOS) 晶体管堆叠在一起。

在深入研究英特尔的专利申请之前，让我们快速回顾一下我们是如何到达这里的，以及英特尔打算利用它向前发展的叉板晶体管是什么。

告别 FinFET：转向"RibbonFET"和"MBCFET"

工程师最初开发了 FinFET（鳍式场效应晶体管）架构，以改善对平面晶体管的沟道控制。然而，随着互补金属氧化物半导体 (CMOS) 微缩技术不断创造出越来越小的晶体管，即使是 FinFET 的通道控制也变得不充分。

为了进一步改善对晶体管沟道的控制，开发了环栅场效应晶体管（GAAFET）。

GAAFET 栅极完全封闭沟道，以在晶体管关闭时减少泄漏，并在晶体管开启时增加驱动电流，从而继续降低工作电压。