3nm之争三星GAA稳赢台积电FinFET？知情人士：IP远远落后

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三星代工和台积电围绕先进工艺的争夺战一直是业内人士关注的话题。特别是在已经量产的5nm、4nm节点，以及马上要到来的3nm上，三星使用的GAA晶体管技术，确实比台积电在3nm时使用的FinFET晶体管更先进。不过，韩国媒体引用知情人士的消息表示，三星晶圆代工部门在以3 纳米GAA 工艺技术所建立专利IP 数量方面却落后了。

www.eet-china.com, Feb. 22, 2022 – 

在半导体先进工艺的竞赛当中，三星代工和台积电围绕先进工艺的争夺战一直是业内人士关注的话题。特别是在已经量产的5nm、4nm节点，以及马上要到来的3nm上，三星都以取得"全球第一"的头衔为目标，以获得更多客户的青睐，逐步拉近与台积电之间市占的差距

目前，三星正全力发展3 纳米GAA 工艺技术，期望在2022年上半年量产，早于晶圆代工龙头台积电在2022 年下半年的量产计划。2021年8月，三星代工市场战略团队负责人Moonsoo Kang曾正式对外表示，2022上半年三星第一代的3nm GAA （3GAAE）工艺技术将量产，最迟不会超过二季度，而下半年将开始商业化生产。

此外，Moonsoo Kang还表示，三星的3nm芯片，会按照之前的计划，采用GAAFET晶体管技术，而不是继续使用从14nm就开始的FinFET晶体管技术。

而基于GAA技术，三星还将开发出第二代GAA技术，称之为3GAAP（3nm Gate-All-Around Plus），预计于明年，也就是2023年量产。

三星使用的GAA晶体管技术，确实比台积电在3nm时使用的FinFET晶体管更先进。GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），GAA技术能够显著增强晶体管性能，提供比FinFET 技术更好的静电特性，能够让芯片进一步微缩，也就是晶体管密度更大，另外还能降低栅极电压，让功耗降低。

根据三星的说法，与5nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。 三星早在2019年就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准，当时三星预计3nm GAA工艺会在2020年底试产，2021年量产，但现在显然不能实现这个计划了。

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