與勁敵別苗頭　三星準備搶先量產GAA製程

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三星電子表示將按照時程在2022下半領先全球推出商用環繞式閘極(GAA)晶片製程，此技術號稱可在5奈米節點提供超越現有FinFET製程的電晶體密度...

www.eettaiwan.com, Mar. 10, 2022 – 

三星電子(Samsung Electronics)表示，該公司可按照時程在2022下半領先全球推出商用環繞式閘極(gate-all-around，GAA)晶片製程；此新一代技術號稱可在目前台積電(TSMC)佔據市場主導地位的5奈米節點，提供超越現有FinFET製程的電晶體密度。

「我們將完成第一代GAA製程3GAE的驗證，預計2022年第一季量產；」三星晶圓代工業務部門(Foundry Market Strategy Team)負責人Moonsoo Kang在日前最新一季的財報發佈會上表示：「我們將按照時程繼續研發第二代GAA製程3GAP。」

3GAE與3GAP是三星開發中第一代與二代GAA製程的代號。GAA電晶體架構是以閘極360度環繞半導體元件通道，可持續實現製程微縮；GAA與FinFET技術皆可實現3D結構晶片，相較於較舊的平面製程，能大幅提升電晶體密度。

台積電將按照時程在2022下半年推出3奈米晶片製程，仍採用FinFET技術──這是比較「安全」的選擇，因為現有EDA工具以及矽智財(IP)都與FinFET相容。而三星在2021年在GAA技術投入規模創紀錄的資金，以取得超越對手台積電的優勢。晶圓代工業務在過去幾十年的成長表現都優於整體半導體產業。

2021年三星的資本支出金額規模為48.2兆韓圜(398億美元)，其中在半導體業務與平面顯示器業務分別投資43.6兆韓圜以及2.6兆韓圜。總計三星2021年晶片業務資本支出約360億美元，超越台積電同年度的資本支出300億美元。

產品涵蓋晶片到手機的三星電子未分列其晶圓代工業務與記憶體產品業務的資本支出，該公司也未提供2022年資本支出的預估金額。專注晶圓代工業務的台積電則是於稍早前表示，該公司2022年度資本支出預計達440億美元。台積電與三星都向ASML採購極紫外光(EUV)微影機台，將之視為在先進製程節點取得競爭力的關鍵；兩家公司都表示，高性能運算(HPC)以及5G相關應用是驅動市場需求的主力。

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