台积电预计将在下个月宣布其 1.4 纳米生产节点的计划

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elcfind.com, May. 20, 2022 – 

由于计划在 2025 年发布首批 2 纳米芯片，台积电理论上可以在 2028 年之前准备好 1.4 纳米节点。三星很可能会在同一时间推出类似的节点，而英特尔将试图通过2025 年有 20A 和 18A 节点。

虽然科学家们正在探索各种方法来制造亚 1 纳米晶体管的可行方法，但世界上最大的代工厂正在竞相看谁能发布第一个埃时代的生产节点。尽管英特尔首先宣布计划在 2025 年之后的某个时间推出 20A 甚至 18A 节点，但从 Team Blue 选择的命名方案来看（例如，英特尔 7 是 10纳米）。另一方面，三星和台积电一直在相互竞争。台积电预计将在 2025 年开始大批量生产 2 纳米，同时推出 GAAFet 晶体管，但三星已经计划在今年晚些时候通过其 3 纳米节点跳到 GAAFet。现在，台积电再次加大赌注，准备在 6 月份发布其 1.4 纳米节点的公告。

根据最近的一份韩国商业报告，1.4 纳米节点的准备工作将从台积电将 3 纳米研发团队转变为一个将开始为最先进工艺寻找路径的团队开始。有关 1.4 纳米节点的更多官方信息可能会在定于下个月举行的台积电技术研讨会上公布。看看台积电是否可以继续在 1.4 纳米节点上使用 GAAFet 晶体管，或者尝试实施一些新技术，例如石墨烯纳米网，将会很有趣。此外，台积电还可能改进 EUV 光刻工艺，将数值孔径从 0.33 升级到 0.55。

显然，英特尔将在 2025 年率先在 20A 和 18A 节点上使用更高数值孔径的光刻技术。同样，这些不是真正的 2 nm 节点，但众所周知，英特尔至少与台积电节点提供的密度相匹配。从 2 nm 到 1.4 nm 的跳跃听起来可能不太令人印象深刻，但我们需要记住，精度需要成倍增加，同时保持足够高的良率。 GAAFet 晶体管可能无法实现这一点，台积电可能会被迫探索其他解决方案。如果台积电要坚持目前的节奏，1.4 纳米节点可能会在 2028 年投入使用。

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