台积电高调官宣3nm量产

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电子工程专辑讯 12月29日消息，台积电在台湾地区的台南科学园区举办3nm大规模量产与18厂第8期上梁扩厂典礼。典礼现场由刘德音致辞，应用材料、ASML、Lam Research等近200名供应链合作伙伴出席。

www.eet-china.com, Dec. 29, 2022 – 

该园区的Fab18是5nm和3nm芯片的生产基地，其中5至9期厂房负责生产3nm芯片。台积电董事长刘德音表示，Fab18厂总投资金额将达 1.86 万亿新台币（约 4222.2 亿元人民币），预计将创造 1.13 万个直接高科技工作机会。

据悉，台积电的3nm工艺良率与5nm量产时的良率相当。与5nm工艺相比，3nm工艺的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低 25-30%。

刘德音称，3nm 工艺是"世界最先进的半导体技术"，应用于云端、高速网络及移动设备，3nm芯片将在5年内创造出市场价值1.5万亿美元的终端产品，需求非常强劲。

由于台积电 3nm 工艺量产时间接近年底，产品预计到明年才会交付给相关厂商，将在明年上半年为他们带来营收。

过去一年多里，台积电不断修改3nm工艺节点的蓝图。台积电将在 2023 年转向更稳定、更高效的 N3E，预计在 2024 年转向 N3P，并在2024年开始试产 2nm GAA 工艺，在 2025 年进行大规模生产。

台积电在3nm制程节点仍使用FinFET（鳍式场效应晶体管），不过可以使用FINFLEX技术，扩展了工艺的性能、功率和密度范围，允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项，进一步提升PPA（功率、性能、面积）。

台积电计划在明年第二季度启动台积电新竹研发中心，预计由8000名人员进驻。而且台积电2nm工艺技术预计在新竹与台中投产，合计有六期工程，进一步持续深耕投资台湾地区。

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