Intel硬刚台积电，有消息称2nm研发有所突破

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Intel 2nm制程有所突破，预计2024年面世。

www.eet-china.com/, Mar. 07, 2023 – 

Intel最新2nm以下制程节点新突破

据台湾省经济日报消息，Intel高级副总裁兼中国区董事长王瑞近日对媒体表示，Intel 20A（业界的2nm制程）和Intel 18A（相当于1.8nm制程）已经流片（流片：是指像流水线一样通过一系列工艺步骤制造芯片，该词在集成电路设计领域，"流片"指的是"试生产"。）。这也是Intel在四年内快速发展五个制程节点的目标之一，此次流出的信息也备受外界瞩目。

Intel近几年对于芯片制程工艺的发展令人叹为观止，规划从Intel 10制程开始，逐步有序进入到Intel 7和Intel 4技术节点，然后就是 Intel 3、Intel 20A 和最新的Intel 18A制程。目前Intel已经量产的最新技术是Intel 7制程，Intel 18A制程则预计2024年下半年就位。也就是说，现在举例2024年的下半年九月刚好18个月的时间，Intel预计在这18个月里攻克数个技术节点，进程之快颇令市场震惊。

Intel 4 物理参数：密度是 Intel 7 的 2 倍

不妨来深入研究一下今年下半年就要上场的Intel 4制程，究竟是何方神圣。不难看出，Intel已经开始着手解决之前遗留下来的问题。首先要解决的密度问题，到了如此精细的工艺节点，不少业界人士均对于制程工艺铁律 "摩尔定律"和"登纳德缩放定律"开始起了动摇之心。

摩尔定律：集成电路可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到24个月便会增加一倍

登纳德缩放定律：随着晶体管尺寸的缩小，其功率密度保持不变，从而使芯片功率与芯片面积成正比。

追溯到Intel之前发布的数据中，Intel 4的 Fin Pitch间距下降到30nm，是Intel 7的34nm的88%，而且Contac Gate Poly Pitch 也从原来的60nm缩减到50nm，Min Metal Pitch(M0)则降低了75%之多，从40nm降到30nm；HP Library Height的高度则减少了近乎一半，从原来的408h减少到140h，仅为Intel 7 的0.59倍。因此，Intel对外宣称，Intel 4的密度是Intel 7的2倍之多，当然业界更喜欢的说法是，在获得相同的芯片性能下，Intel4可以比Intel 7做出来的芯片尺寸缩小一半。

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