上峰科技劃時代I-fuse OTP IP通過FinFET製程矽驗證

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上峰科技採用金屬熔絲(Metal Fuse)作為材料之I-fuse®矽智財已成功在12奈米FinFET製程通過矽驗證...

www.eettaiwan.com/, Apr. 25, 2023 – 

矽智財供應商上峰科技(Attopsemi)近日宣佈，其採用金屬熔絲(Metal Fuse)作為材料之I-fuse®矽智財已成功在12奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程通過矽驗證，為客戶提供更完整的產品目錄。I-fuse®在鰭式場效電晶體(FinFET)製程上亦無需外加光罩，延續其在成熟製程及高介電常數金屬閘極(High-k Metal Gate，HKMG)製程上的成本優勢。

上峰科技指出，此項IP不僅具備成本效益，也延續I-fuse®技術的卓越優勢，包含高度可靠性、小面積(4K bits < 0.02 mm2)，以及無須內建電荷泵(Charge Pumps)即可支援優於業界的操作電壓區間(1.7V-2.5V)，使客戶得以更靈活地於各製程平台上進行產品設計。

上峰科技致力於研發電遷移(EM)燒錄機制，與傳統電子熔絲(eFuse)不同的是，I-fuse®是在低於熔斷點(explosive point)的情況下進行燒錄，可大幅提高I-fuse®的可靠性。隨著製程的推進，金屬的寬度及高度亦一同縮小，在先進製程上，上峰科技創新採用金屬互連線(Metal Interconnect)作為I-fuse®的燒錄材料，並證實其燒錄電壓及電流能與摩爾定律一同微縮。此創新讓I-fuse® OTP在先進製程上擁有高度競爭之規格，顛覆傳統OTP技術一直以來需要電荷泵的限制。

上峰科技董事長莊建祥表示：「我們致力於研發低功耗、高可靠性的產品，以協助客戶保持競爭優勢。對於I-fuse®技術的發展，我們相當有信心，期待I-fuse®能夠成為各應用場景中的最佳解決方案，協助客戶在市場競爭中脫穎而出。」

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