三星新一代 3nm 制程 SF3 将亮相 VLSI 2023

搜索最新SoC解决方案
关于汽车电子...物联网...安全...音频...视频

5 月 8 日消息，2023 国际超大规模集成电路技术研讨会将于 6 月 11 日至 16 日在日本京都举行。官方现提前透露了一些将会在此次顶会上揭晓的内容。

www.eeworld.com.cn/, May. 08, 2023 –

除了技术演示外，VLSI 研讨会还将包括演示会议、联合焦点会议、晚间小组讨论、短期课程、研讨会和特别论坛。届时还会有一些科技前沿的 CMOS 技术重点论文，例如"全球首个采用新型 MBCFET 技术的 GAA 3nm 工艺（SF3）"。

三星 3nm 技术之所以如此备受期待，是因为它实现从 FinFET 到 Gate-All-Around 晶体管架构的转变。据称，SF3 相较 4nm FinFET 平台实现了 22% 频率提升、34% 能效改进、21% 面积微缩（PPA）。

三星 SF3 技术是业界首款量产 GAA 工艺的升级版，采用多桥通道 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET）设计，可以为各种纳米片宽度提供相当不错的性能，在固定的标准单元高度下显著提高了芯片级的功耗性能矩阵，从而超越 FinFET 平台。

根据韩国媒体的说法，三星 2023-2024 年将以 3nm 生产为主，即 SF3 (3GAP) 及其改进版本 SF3P (3GAP+)，其生产良率初期可维持在 60-70% 的范围内，而且该公司还计划于 2025-2026 年开始推出其 2 纳米级别节点。