英特尔积极扩产先进封装，挑战三星台积电？

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据外媒消息，英特尔副总裁兼亚太区总经理StevenLong表示，目前英特尔正在马来西亚槟城兴建最新的封装厂，强化2.5D/3D封装布局。

www.esmchina.com/, Aug. 25, 2023 – 

这将是继英特尔新墨西哥州及奥勒冈厂之后，首座在美国之外采用英特尔Foveros先进封装架构的3D封装厂。

英特尔表示，其规划到2025年3D Foveros封装的产能将达到当前水平的四倍，届时槟城新厂将会成为英特尔最大的3D先进封装据点。此外，英特尔还将在马来西亚另一居林高科技园区兴建另一座组装测试厂。未来英特尔在马来西亚的封测厂将增至六座。

结合此前英特尔在先进制程上一系列动态，外界预期，英特尔将结合先进制程与先进封装两条线，希冀在晶圆代工领域实现"1加1大于2"的效果。在2022年末举行的英特尔On技术创新峰会上，英特尔CEO基辛格便表示，英特尔代工服务将开创"系统级代工的时代"。不同于仅向客户供应晶圆的传统代工模式，英特尔还提供硅片、封装、软件和芯粒等服务。

当然，发力先进制程、先进封装的不只有英特尔，台积电、三星两位强敌也丝毫不懈怠，三者在晶圆代工市场之中的硝烟渐浓，谁又将祭出新一代最具竞争力的产品？

英特尔先进封装工艺

英特尔方面，除了上述封装厂扩产新建消息外，其在封装技术上的进步也引起业界关注。

通过多年研究探索，英特尔目前压注的主要是2.5D EMIB、3D Foveros等几种先进封装技术，力图通过2.5D、3D和埋入式等多种异构集成形式实现互连带宽倍增与功耗减半的目标。

2017年始，英特尔开始导入EMIB封装，第其一代Foveros封装则于2019年推出，当时凸点间距为50微米。英特尔预计将在今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake处理器，将利用第二代Foveros封装技术，使凸点间距进一步缩小为36微米。

据英特尔官网今年5月19日消息，英特尔发布了先进封装技术蓝图。在蓝图中，英特尔期望将传统基板转为更为先进的玻璃材质基板。从英特尔PPT中看到，英特尔为此开发了共同封装光学元件技术，通过玻璃材质基板设计，利用光学传输的方式增加信号交换时的可用频宽。英特尔称，这一设计也使得芯片可以支持热插拔使用模式。

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